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第641章 跑分溢出（第2页）

**沟道材料半导体型单壁碳纳米管**

**载流子迁移率单晶硅的1oo倍**

**载流子饱和度单晶硅的4倍**

雷军的身体前倾，视线死死锁在屏幕的数据上。

陈阳的声音不紧不慢。

“碳纳米管的物理特性，天然压制短沟道效应。硅基芯片缩到3纳米以下，量子隧穿漏电绕不开，得靠gaa环栅、背面供电强行续命。”

“碳管不需要。”

他停顿了半秒。

“所以我们用7纳米制程，做到了什么？”

全息屏幕切换，弹出一张对比表。

左列**星辰7nm碳基net2（2nm）硅基旗舰cpu**。

第一行数据亮起。

**同性能功耗碳基netm硅基cpu的25%。**

**硅基cpu需125达成的性能，碳基cpu仅需32。**

台下传出倒吸冷气的声音。

联想杨元庆摘下眼镜，用力擦了擦镜片，重新戴上死盯屏幕。

弹幕风向陡转——

【等等……同性能功耗只有四分之一？？】

【这不对吧，7nm怎么可能比2nm能效高这么多？】

【我学半导体的，碳管迁移率确实碾压硅，但这数据离谱了吧！】

第二行数据亮起。

**同功耗峰值睿频碳基cpu可持续睿频至18ghz。**

**2nm硅基cpu极限睿频5。8ghz。**

啪。

雷军手里的笔掉在地上。

他没弯腰去捡。

余承东转过头，嘴唇动了动。雷军看懂了他的口型——

“十八g？”

全场死寂。

两秒后，嗡的一声，议论声将大厅掀翻。

弹幕卡顿一瞬，随后陷入疯狂——

【18ghz？？？？？？？】

【我没眼花吧？十八？不是一点八？】

【完了完了完了完了完了】

【英特尔的棺材板炸了！！！】

【这他妈是造芯片还是造核弹啊？？？】

旧金山，英伟达总部。

凌晨四点。黄仁勋穿着皮衣，坐在办公桌前紧盯屏幕。

当看到18ghz的字眼时，他放下咖啡杯。

拿起手机，翻出一个号码。

悬停片刻。

又放下了。

他盯着屏幕上那行数字，陷入长久的沉默。